半导体器件物理与工艺

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施敏 / 赵鹤鸣 / 苏州大学出版社 / 543页 / 55.00元 / 2002-12

半导体器件物理与工艺的内容简介

《半导体器件物理与工艺》(第2版)分为三个部分:第1部分(第2、3章)描述半导体的基本特性和它的传导过程,尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的丰导体材料上。第l部分的概念将在《半导体器件物理与工艺》(第2版)接下来的部分被用到,了解这些概念需要现代物理和微积分的基本知识。第2部分(第4-9章)讨论所有土要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始,接下来讨论双极型和场效应器件。最后讨论微波、量子效应、热电子和光电子器件。第3部分(第10-14章)则介绍从晶体生长到掺杂等工艺技术。我们介绍了制作器件时的各个主要步骤,包含理论和实际情况,并特别强调其在集成电路土的压用。

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