本书获第八届引进版优秀图书奖

西安交大出版社
2009-09-10 看过
       本书获第八届引进版优秀图书奖。
    该书作者为著名美籍华人科学家、美国工程院院士、中国工程院外籍院士、台湾“中央研究院”院士、西安交通大学名誉教授施敏(S. M. Sze)博士和另一著名美籍华人半导体专家、曾在贝尔实验室工作的伍国珏(Kwok K. Ng)博士,译者为西安交通大学电信学院耿莉副教授和张瑞智副教授。该书英文原版由国际著名专业图书出版商美国John Wiley & Sons出版公司于2007年出版。
    该书是一本被誉为“半导体圣经”的经典著作。书中系统而详尽地介绍了迄今为止所有重要半导体器件的物理原理及其工作原理,反映了当今半导体器件在概念和性能等方面的最新进展,从而使使读者可以快速了解当今半导体物理和所有主要器件,如双极、场效应、微波、光子器件和传感器的性能特点,并为读者预测未来器件的性能和局限性提供了坚实的基础。该书原著已被翻译为六国文字,发行量逾百万册,根据ISI Thomson Scientific的数据,截止2006年该书(前两版)已被引用15000次,是同时代在电子科技领域乃至整个工程和应用科学领域被引用最多的文献之一。书中所介绍的 “非挥发半导体存储器”是作者施敏博士于1967年发明的,现已成为手机、便携式计算机、数码相机以及全球定位系统等现代数字产品的核心,成为世界集成电路产业主导产品之一。本书翻译版在国内出版后,被多所高校选作研究生教材或本科高年级教材,亦为半导体领域的科研人员及高校相关专业师生作为重要参考书使用。
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